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- [发明专利]基板制程设备-CN202110277232.1在审
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黄一原;刘镒诚
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凌嘉科技股份有限公司
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2021-03-15
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2022-08-05
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H01J37/32
- 一种基板制程设备，其包含制程腔体及基板载台。所述制程腔体具有电浆入口壁及环绕壁。所述电浆入口壁经配置以接收来自一远程电浆源的输出。所述环绕壁形成腔体内表面，所述内表面定义内部空间以接收一基板。所述基板载台可升降地设置于所述制程腔体的所述内部空间，并具有面对所述电浆入口壁的基板支撑面。所述环绕壁，在所述制程腔体的截面中，具有第一区段及第二区段。所述第一区段对应于所述基板载台的制程区域，并具有第一宽度。所述第二区段相较于所述第一区段更远离所述电浆入口壁，并具有大于所述第一宽度的宽度。
- 基板制程设备
- [实用新型]基板制程设备-CN202120536079.5有效
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黄一原;刘镒诚
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凌嘉科技股份有限公司
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2021-03-15
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2021-11-12
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H01J37/32
- 一种基板制程设备，其包含制程腔体及基板载台。所述制程腔体具有电浆入口壁及环绕壁。所述电浆入口壁经配置以接收来自一远程电浆源的输出。所述环绕壁形成腔体内表面，所述内表面定义内部空间以接收一基板。所述基板载台可升降地设置于所述制程腔体的所述内部空间，并具有面对所述电浆入口壁的基板支撑面。所述环绕壁，在所述制程腔体的截面中，具有第一区段及第二区段。所述第一区段对应于所述基板载台的制程区域，并具有第一宽度。所述第二区段相较于所述第一区段更远离所述电浆入口壁，并具有大于所述第一宽度的宽度。
- 基板制程设备
- [发明专利]介电层的蚀刻制程-CN01118337.3无效
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陈永修;张欣怡;黄于玲
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矽统科技股份有限公司
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2001-05-24
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2003-01-01
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H01L21/311
- 一种介电层的蚀刻制程,是对一硅基底表面的一介电层进行一富高分子的电浆蚀刻制程,以去除掉部分的介电层,并于介电层与硅基底的曝露表面上形成高分子薄膜;对高分子薄膜进行氧电浆处理,以使其结构松散;最后进行湿蚀刻制程,将高分子薄膜完全去除,并同时去除掉残留在硅基底表面的介电层。通过富高分子的电浆蚀刻制程去除第二介电层,并额外利用氧电浆处理高分子薄膜,增加蚀刻终点的稳定度,并降低离子轰击现象所产生的破坏,确保后续的湿蚀刻制程可完全去除第一介电层的效果。
- 介电层蚀刻
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